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SCR(Semiconductor Controlled Rectifier)ともいう。整流作用を制御することができる素子で、電力用制御素子として重要である。 SiやGeを用いた半導体整流素子で、ゲート回路に信号を与えると阻止状態を導通状態に転換し、大きい電流を流すことができる。
サイリスタ
サイリスタはp型とn型の半導体をpnpnと4層に結合したものである。
アノード、カソード、ゲートと呼ばれる3つの端子をもち、順電圧を印加されてもゲートにトリガ信号が入力されない限りアノード、カソード間は導通しない。
一度ゲートにトリガ信号が入力された後は、アノード、カソード間の電流が保持電流(通常20mA程度)以下になるか、逆方向の電圧が印加されない限りは導通を維持する。
ゲートにトリガ信号の入力がない場合でも、ブレークオーバー電圧を超える順電圧の印加により導通する。 ブレークオーバー電圧は温度による影響が大きく、サイリスタの温度が上昇すると誤動作を起こしやすい。
交流波形の断続的な制御が得意で、電気ドリルの制御、電球の調光、電熱器の制御などに応用される。 タイマー、電力制御、インバーターなど広範囲な用途がある。
Last Update 2008/01/29
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